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进口现货供应SCH2080KE碳化硅1200V 40A大功率MOSEFT
品牌：ROHM/罗姆型号：SCH2080KE类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：其他工作电压：1200V工作电流：40A封装：TO-247批号：17+包装：360/盒 在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用
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2019-12-10 |
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进口现货供应SCS220KE2碳化硅1200V 20A肖特基二极管
品牌：ROHM/罗姆型号：SCS220KE2类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：其他工作电压：1200V工作电流：20A封装：TO-247批号：17+包装：360/盒 肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种属-半导体器件。肖特基二极
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2019-08-05 |
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进口现货供应SCS215AE碳化硅650V15A肖特基二极管
品牌：ROHM/罗姆型号：SCS240AE类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：其他工作电压：650V工作电流：15A封装：TO-247批号：17+包装：360/盒 肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种属-半导体器件。肖特基二极管
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2019-07-21 |
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进口现货供应SCS210KE2碳化硅1200V 10A肖特基二极管
品牌：ROHM/罗姆型号：SCS210KE2类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：其他工作电压：1200V工作电流：10A封装：TO-247批号：17+包装：360/盒 肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种属-半导体器件。肖特基二极
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2019-07-05 |
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进口现货供应SCT3022KL碳化硅1200V 95A大功率MOSEFT
品牌：ROHM/罗姆型号：SCT3022KL类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：其他工作电压：1200V工作电流：95A封装：TO-247批号：17+包装：360/盒 在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用
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2019-06-05 |
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进口现货供应SCS230KE2碳化硅1200V 30A肖特基二极管
品牌：ROHM/罗姆型号：SCS230KE2类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：其他工作电压：1200V工作电流：30A封装：TO-247批号：17+包装：360/盒 肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种属-半导体器件。肖特基二极
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2019-05-16 |
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进口现货供应SCT3030KL碳化硅1200V 72A大功率MOSEFT
品牌：ROHM/罗姆型号：SCT3030KL类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：其他工作电压：1200V工作电流：72A封装：TO-247批号：17+包装：360/盒 在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用
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2019-05-16 |
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进口现货供应SCS230AE2碳化硅650V30A肖特基二极管
品牌：ROHM/罗姆型号：SCS230AE类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：其他工作电压：650V工作电流：30A封装：TO-247批号：17+包装：360/盒 肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种属-半导体器件。肖特基二极管
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2019-05-04 |
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